Иван Странски (физикохимик)
Тази статия е за българския физикохимик. За почвоведа вижте Иван Странски (почвовед).
| Иван Странски | |
| български физикохимик | |
 | |
| Роден | |
|---|---|
| Починал |
София, България |
| Погребан | Берлин, Федерална република Германия |
| Учил в | Софийски университет |
| Научна дейност | |
| Област | Физикохимия |
| Работил в | Технически университет – Берлин Свободен Университет Берлин Софийски университет |
| Семейство | |
| Баща | Никола Странски |
| Майка | Мария Корн |
| Иван Странски в Общомедия | |
Иван Николов Странски е български учен, основател на българската школа по физикохимия и считан за „баща“ на молекулно-кинетичната теория за кристалния растеж.[1]
Биография[редактиране | редактиране на кода]
Иван Странски е роден на 21 декември 1896 г. стар стил (2 януари 1897 г. нов стил) в София.[2] Негов баща е Никола Странски, придворен аптекар, а майка му - Мария Странска (рождено име Корн, немкиня от Прибалтика). Семейството е част от калоферския род Странски, чичо на Иван е революционерът и политик Георги Странски, а негов първи братовчед е почвоведът Иван Странски. От детска възраст страда от заболяването костна туберкулоза, нелечима по онова време.
Завършва средното си образование в Първа мъжка софийска гимназия. С идеята да се бори с болестта си, решава да следва медицина, но след една година следване във Виена, силно разочарован от възможностите на медицината, решава да прекъсне. През 1922 г. завършва висше образование в Софийския университет, специалност химия.[2] Защитава докторска дисертация в Берлин при Паул Гюнтер върху рентгенова спектроскопия.[2][3] През 1925 е избран за първия доцент в новооткритата Катедра по физикохимия към Физикоматематическия факултет на Софийския университет, и става първият преподавател по физикохимия в България.[2] От 1929 г. е вече извънреден професор, а редовен – от 1937. В преподавателската си кариера води лекции по всички области на физикохимията, привлича в катедрата способни учени – Ростислав Каишев, Любомир Кръстанов и др. – заедно с които прави най-значителните си разработки. През 1930 е поканен в Берлинския технически университет (БТУ) като Рокфелеров стипендиант за съвместна работа с Макс Фолмер заедно с Каишев. В периода 1935 – 1936 с Каишев публикуват основоположните си трудове по теорията на средните отделителни работи. По-късно с Любомир Кръстанов предлагат механизма на растеж на кристал върху подложка от друг кристал.
По покана на Валтер Косел за съвместна работа в Бреслау, заминава за Германия през 1941. През войната участва в разработки, например, за предотвратяване на образуването на ледени кристали върху немските самолети. С приближаването на съветската армия към границите на Германия, Странски се завръща отново в Берлин, където работи в Кайзер Вилхелм институт за физикохимия и електрохимия. След капитулацията на немците Макс Фолмер е отведен насилствено в СССР и Странски заема неговото място като ръководител на Катедрата по физикохимия в БТУ в западен Берлин. Полуунищожен от бомбардировките, чрез усилията на Странски, БТУ е от малкото университети в Германия, открили учебна година още през 1945. В периода 1948 – 49 е декан на факултета по общи и инженерни науки, а след това ректор и заместник-ректор на БТУ. През 1953 става директор на Фриц Хабер институт (новото име на Кайзер Вилхелм институт), пост, който са заемали Макс фон Лауе и Алберт Айнщайн.
С идването на социалистическата власт в България Странски е обвинен във връзки с фашисткия режим и е уволнен от катедрата, която създава. Едва през 60-те години учениците му успяват да издействат той да бъде избран за чуждестранен член на БАН, и през 1967 г. Странски за първи път след войната се завръща в родината си.
Умира в България през 1979 г. Погребан е в Берлин.
Иван Странски е член е на научните академии в Гьотинген (1939), Бавария (1959), Ню Йорк, Шведската академия на науките. Хоноруван сенатор на БТУ на Западен Берлин (1962).
Памет[редактиране | редактиране на кода]
На Иван Странски е наречена улица в кварталите „Витоша“ и „Студентски град“ в София (Карта). Неговото име носят два научни института – Институтът по физика и химия към БТУ и Институтът по металургия в Оберхаузен. Носител на два ордена „Кирил и Методий“ и редица международни отличия. В негова чест е наименован минерала странскиит.[4][5][6][7][8][9]
Трудове[редактиране | редактиране на кода]
Иван Странски е един от основателите (заедно с Косел) на молекулно-кинетичната теория за формирането и растежа на кристалите. Въвежда за първи път понятието „положение на полукристал“. Заедно с Ростислав Каишев установяват връзката между формата, структурата и силите на междумолекулно взаимодействие в кристалите на базата на молекулна трактовка. Разработват метода на средните отделителни работи – молекулно-кинетичен метод, изиграл роля в развитието на теорията на зараждането и растежа на кристалите. Създават модела на Каишев и Странски за послойния растеж на кристалите, имат заслуги за изясняване на връзката между двумерното зародишообразуване и спиралния растеж на кристалите. С Любомир Кръстанов предлагат механизъм на растеж на един кристал върху подложка от друг. В Берлин работи в различни области от физикохимията, предимно теоретични разработки с непосредствено практическо приложение: триболуминисценция, топене, разлагане на уротропин, електронна емисия на кристални повърхности (тези му изследвания водят до създаването на автоемисионния микроскоп (FEM). Сериозно приложение имат теоретичните му работи в областта на металургията, с помощта на които рудодобивът в Западна Германия става значително по-ефективен и рационален.[10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21] Той е един от малкото български учени, номинирани и номиниращи за Нобелова награда.[22]
Избрана библиография[редактиране | редактиране на кода]
- Stranski, Iwan. Über die Gleichrichterwirkung der Kontaktdetektoren // Zeitschrift für Physikalische Chemie 113U (1). 1924. с. 131-144.
- Странски, Иван. Теоретическата химия, нейното развитие и нейната цел (встъпителна лекция) // Годишник на Софийския университет. Физико-математически факултет. Книга 2 - Химия / Annuaire de l'Universite de Sofia. Faculte Physico-mathematique. Livre 2 - Chimie 22 (2). 1926. с. 96-112.
- Странски, Иван. Върху растежа на кристалите // Годишник на Софийския университет. Физико-математически факултет. Книга 2 и 3 - Химия и Естествени науки / Annuaire de l'Universite de Sofia. Faculte Physico-mathematique. Livre 2 et 3 - Chimie et Sciences naturelles 24 (2-3). 1928. с. 297-315.
- Stranski, I. N. Zur Theorie des Kristallwachstums // Zeitschrift für Physikalische Chemie (136). 1928. с. 259 - 278.
- I. N. Stranski, D. Totomanow. Die Ostwald'sche Stufenregel // Naturwissenschaften 20 (905). 1932.
- Stranski, I. N.; L. Krastanov. Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander // Monatshefte für Chemie 71. 1937. с. 351-354.
Източници[редактиране | редактиране на кода]
- ↑ Linke, Dietmar. Stranski, Ivan Nikolov (Iwan Nicolá) Physikochemiker, * 2. 1. 1897 Sofia, † 19. 6. 1979 Sofia // Deutsche Biographie, 2013. Посетен на 28 юни 2024.
- ↑ а б в г Алманах на Софийския университет 1888 – 1928, Кратка история на университета с животописни и книгописни сведения за преподавателите и асистентите от основаването на висшето училище насам. Университетска библиотека № 91, 1929. с. 322-323.
- ↑ Stranski, Iwan. Beiträge zur Röntgenspektralanalyse. 1926. OCLC 48394399.
- ↑ Strunz, H. Stranskiit, ein neues Mineral // Die Naturwissenschaften 47 (16). 1960. с. 376.
- ↑ Fleischer, Michael. New Mineral Names // American Mineralogist 45 (10-11). 1960. с. 1315.
- ↑ Information page for Stranskiite // Handbook of Mineralogy.
- ↑ Information page for Stranskiite // Mindat.org. Посетен на 27 юни 2024.
- ↑ Stranskiite // Oxford English Dictionary (OED). Посетен на 27 юни 2024.
- ↑ Костов, Иван. Минералогия. 3. София, Издателство „Наука и изкуство“, 1973. OCLC 859838412. с. 538.
- ↑ Surface structures of ionic crystals // Архивиран от оригинала на 2018-12-07. Посетен на 2018-06-04.
- ↑ Surface structures of ionic crystals // Архивиран от оригинала на 2018-12-07. Посетен на 2018-06-04.
- ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen: Vortrag, gehalten an der Chalmers Tekniska Högskola, Göteborg, am 16.6.1950
- ↑ Gedenkkolloquium anläßlich des ersten Todestages von Prof. Dr. phil., Dr. h. c. mult. Iwan N. Stranski: Berlin, 18. Juni 1980.
- ↑ On structure irregularity in the surface of ionic crystals
- ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. II: Single-crystal surfaces with absorbed foreign atoms
- ↑ Rastitelni otnošenija v Srědnitě Rodopi
- ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. I: pure single-crystal surfaces
- ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen
- ↑ Technische Universität Berlin-Charlottenburg
- ↑ "Katalyse": Festrede, anlässlich der, Rektoratsübergabe an der Technischen Universität Berlin-Charlottenburg 1951
- ↑ Single-crystal surfaces with adsorbed foreign atoms
- ↑ Нобелов комитет. База данни за номинациите за Нобелова награда // old.nobelprize.org. Архивиран от оригинала на 2020-06-30.
Допълнителна литература[редактиране | редактиране на кода]
- Kaischew, R. On the history of the creation of the molecular-kinetic theory of crystal growth: Honoring the memory of I.N. Stranski // Journal of Crystal Growth 51 (3). March 1981. с. 643-650.
- Първомайсторът на кристалния растеж, режисьор Стефан Стефанов
- Архив на Софийския университет
Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]
- Страница за Иван Странски в сайта на Берлинския технически университет
- Gutzov, Ivan S. In Memoriam: Prof.Dr. Ivan Stranski (1897 – 1979): one of the Founders of the Present-day Theory of Crystal Forms, Crystal Nucleation and Growth // Cryst. Res. Technol. 32 (6). 1997. с. 753 – 758. Посетен на 29 май 2018.
|
